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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于碳/碳復合材料、碳/碳-碳/陶復合材料的高溫石墨化、高溫提純處理。
優(yōu)勢與特點：
最高 溫度可達到3000℃。
新型加熱室結構，加熱更均勻，損耗功率小，更節(jié)能。
進口紅外測溫儀，測溫準確，誤差小。
可選項：
爐體形式：立式、臥式
加熱方式：電阻加熱、感應加熱
真空泵組：進口、國內優(yōu)質品牌
目前該設備已形成系列化產品，不在系列范圍內的可根據(jù)客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.tentoc.net
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