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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
用于工模具、高速鋼等工件表面滲碳、滲氮等處理工藝。
優(yōu)勢與特點：
復合工藝爐，完成滲碳/氮及淬火處理。
新型加熱室結構，加熱更均勻，損耗功率小，更節(jié)能。
爐門配有獨特密封結構，確保正負壓雙方向密封。
采用脈沖方式。
可選項：
1、真空氣氛滲碳（滲氮）
2、真空等離子滲碳（滲氮）
目前該設備已形成系列化產(chǎn)品，不在系列范圍內(nèi)的可根據(jù)客戶要求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.tentoc.net
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